Caractérisation thermique
Caractéristiques techniques
Cette méthode permet de mesurer la diffusivité thermique, et de calculer la conductivité thermique en connaissant la capacité thermique et la masse volumique de l’échantillon. L’approche est particulièrement adaptée aux éprouvettes de petites dimensions et aux géométries complexes pour lesquels les autres méthodes ne sont pas applicables.
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Mesure directionnelle de l’ambiante jusqu’à 1100°C
Gaz = Air / Azote
Taille des échantillons :
- Carré / cercle : 8mm de coté / diamètre -- e = 1 à 6mm (très conducteur à très isolant)
- Diamètre : 25mm -- e = 1 à 6mm (très conducteur à très isolant)
Exemples d'essais
Caractérisation de sable à prise chimique et de fontes GS pour alimenter une base de données du logiciel de simulation NovaFlow [LaMcube]
Caractéristiques techniques
Le Hot Disk est un appareil de mesure de la conductivité thermique, de la diffusivité thermique et de la chaleur spécifique.
Il s’agit d’une mesure en mode transitoire pendant laquelle l’élévation de température n’est pas mesurée par une sonde thermocouple, mais par la mesure d’une variation très fine de la résistance électrique du fil de chauffe, qui varie à cause de son échauffement ! Il s’agit d’une mesure très précise applicable sur presque tous les types d’échantillons.
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Conductivité thermique : 0,005 to 1800 W/m/K
Diffusivité thermique : 0,1 to 1200 mm²/s
Capacité thermique : Up to 5 MJ/m^3/K
Temps de mesure: 1 to 1280 seconds
Gamme de température : Tamb
Exemples d'essais
Caractéristiques techniques
L’équipement nous permet de d’analyser à large panel de propriété thermique des matériaux. Associé à la bibliothèque de Mettler Toledo, nous sommes dans la capacité de retrouver les éléments du matériau via les données obtenues lors de l’analyse.
Possibilités de la DSC
Comportement de fusion - cristallisation - polymorphisme - oxydation - Transitions vitreuses - Réactions de réticulation - Capacité thermique spécifique
Possibilités de l'ATG
Changements de masse - Stabilité à la température - Comportement d'Oxydation - Décomposition
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Température max : 1600°C
Montée en température max : 100 K/min
Limite de la balance (creuset inclus) : 1g
Résolution de la balance : 1 μg
Gaz : Air + N2 + Ar
Passeur d’échantillons : 34 emplacements
Taille des échantillons :
- max 600°C = 40 µL (couvercle possible mais sans sertissage) - Aluminium
- max 1600°C = 30 µL (couvercle possible) - Alumine
D’autres tailles, matériaux et couvercles possibles sur commande.
Exemples d'essais
Contrôle qualité d’une résine phénolique via son taux de réticulation [LaMcube]
Détermination du taux de cristallinité de PA6 et PA6-GF30 [UML]
Caractéristiques techniques
Besoin de connaître les propriétés de rigidité et d'amortissement de votre matériau à différentes températures ?
Avec des essais DMA, vous pouvez obtenir une caractérisation complète sur une large plage de température.
Par exemple, il est possible de déterminer :
Module dynamique - Facteur d'amortissement (tanδ) - Module de Young (statique) - Dépendance de la fréquence / température – Transition de phase - Courbe maîtresse - Hystérésis - Relaxation et retard - Comportement au vieillissement - Essais de fatigue / prédictifs / durabilité
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Force en dynamique : 500N
Force en statique : 1500N
Fréquence : 0.001 Hz à 100 Hz
Température max : 1500°C
Montée en température max : 50K/min
Taille des échantillons :
- Compression : 20x20x20 mm3
- Flexion 3 points : L =20mm min – h = 20mm max
Exemples d'essais
Caractérisation de surfaces
Caractéristiques techniques
Vertical Measurement : Range0.1nm to 1mm
Vertical Resolution : 1< 1Å Ra
RMS Repeatability : 20.01nm
Vertical Scan Speedup : to 7.2μm/sec (288 μin./sec)
Lateral Spatial Sampling : 0.08 to 13.1μm
Field- of -View : 8.24mm to 0.05mm (larger areas with Data Stitching option)
Reflectivity : 1% to 100%
Exemples d'essais
Caractéristiques techniques
Voltage control (potentiostat mode)
Applied voltage range = ± 10V
Applied voltage resolution for ± 10mV signal = 300nV
(technique dependent) for ± 100mV signal = 3μV
for ± 1V signal = 30μV
for ± 10V signal = 300μV
Applied voltage accuracy ± 0.2% of value ± 2mV
Maximum scan rate 10kVs-1 (10mV step)
Maximum scan range / resolution ± 10V / 300μV
Current control (galvanostat mode)
Applied current range = ± full scale (depends on range selected) ± 4A (standard)
Applied current resolution = ± 1/32,000 x full scale
Applied current accuracy = ± 0.2% of reading, ±0.2 % of range, ±2pA
Maximum current range / resolution = ± 4A / 123μA
Minimum current range / resolution = ± 40pA / 1.2fA
Voltage Measurement
Voltage range = ± 10V
Voltage resolution = 1.5μV (2.5V range, X50 gain applied)
Voltage accuracy = ± 0.2% of reading, ± 2mV
Exemples d'essais
Caractéristiques techniques
Exemples d'essais
Caractéristiques techniques
Eléments analysables : C, Si, Mn, P, S, Cu, Ni, Cr, Mg,Ce, Mo, Ti, V, Nb, B, Fe, Al, Zn, H, O, Cl, N, Ca, Sr, Zr, Na, Sn, Be, Pb, Co, W, As, Sb, Ba, Te
Surface analysable : 2 et 4 mm
Matériaux analysables : isolants, conducteurs ou hybrides
Profondeur d'analyse : 1nm à 1 mm
Exemples d'essais